晶体二极管的特征

晶体二极管（Crystal diode）是固态电子器件中的半导体两端器件。这些器件主要的特征是具有非线性的电流 - 电压特性。

随着半导体材料和工艺技术的发展，利用不同的半导体材料、掺杂分布、几何结构，研制出结构种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极管。制造材料有锗、硅及化合物半导体。

晶体二极管可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换等。另外，晶体二极管在电路中的应用也是必不可少的，无论是做整流电路还是钳位作用还是其他的一些作用，都会用到它。

晶体二极管可分为发光二极管（LED），整流二极管，稳压二极管，开关二极管等等，每种二极管还拥有其各自的作用及用途。

晶体二极管工作特性

二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线。

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⒈正向特性。当加在二极管两端的正向电压（P 为正、N 为负）很小时（锗管小于 0.1 伏，硅管小于 0.5 伏），管子不导通，处于“截止”状态，当正向电压超过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线 I 段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为 0.5-0.7 伏左右，锗管为 0.1-0.3 左右。

⒉反向特性。二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线Ⅱ段）。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为 1 微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。

⒊击穿特性。当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由 1 伏到几百伏，甚至高达数千伏。

⒋频率特性。由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使 PN 结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN 结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作