分享|HBM之后存储器市场掀起新风暴

AI人工智能应用持续推动存储器市场前行，其中HBM（高带宽内存）是当之无愧的“宠儿”，不断吸引存储器厂商加大资本支出与扩产。与此同时，存储器市场新的力量已经悄然形成，GDDR7有望接过HBM大棒，在AI浪潮下继续推动存储器市场稳步向前。

GDDR7与HBM的差异

GDDR7与HBM同属于图形DRAM，二者均具备高带宽和高速数据传输能力，可为AI计算提供强大支持，不过GDDR7与HBM在技术、应用场景与性能表现方面略有不同。

GDDR7主要用于增强GPU的可用带宽和内存容量，是GDDR家族的最新一代技术。今年3月固态技术协会JEDEC正式发布JESD239 GDDR7标准，带宽大幅增加，最终将达到每台设备192GB/s。计算得出，内存速度为48Gbps，是GDDR6X的两倍；独立通道数量翻倍，从GDDR6中的2个增加到GDDR7中的4个；支持16 Gbit至32Gbit密度，包括支持2通道模式以使系统容量加倍。

同时，JESD239 GDDR7也是第一个使用脉幅调制（Pulse Amplitude Modulation，PAM）接口进行高频操作的 JEDEC标准DRAM。其PAM3接口提高了高频操作的信噪比（SNR），同时提高了能源效率。

GDDR7主要应用于图形处理、游戏、计算、网络和AI等领域，尤其是游戏领域，基于高带宽和高速数据传输能力，GDDR7可显著提升游戏画面流畅度与加载速度，助力游戏玩家得到更好体验。人工智能领域，GDDR7潜力十足，可支持AI大模型进行快速数据处理与运算，进而为大模型训练与推理提速。

JEDEC GDDR小组委员会主席Michael Litt曾对外表示GDDR7是首款不仅专注于带宽，而且通过整合最新数据完整性功能来满足RAS（可靠性、可用性、可维护性）的市场需求，这些功能使GDDR设备能够更好地服务云游戏和计算等现有市场，并扩展到AI。

HBM采用内存堆叠技术，通过硅通孔（TSV）技术实现层与层之间的连接，具备高容量、高带宽、低延时与低功耗等特性，其优势在于打破内存带宽及功耗瓶颈。目前HBM主要在AI服务器、超级计算机领域应用。

自2013年第一代HBM推出以来，至今已历经第二代（HBM2）、第三代（HBM2E）、第四代（HBM3）、第五代（HBM3E）产品，今年HBM3e将是市场主流，集中在今年下半年出货。此外，第六代HBM4预计有望最早于2025年亮相。据悉，HBM4将带来突破性变革，采用2048位元内存接口，理论上也可以使传输速度再次翻倍。

三家存储器大厂争夺GDDR7话语权

基于技术的高门槛特性，HBM市场份额牢牢掌控在SK海力士、三星与美光三家存储器大厂手中。同时，随着AI效应不断发酵，存储器大厂的竞争也正从HBM拓展到GDDR领域。

今年以来，三家大厂陆续对外表态开始提供GDDR7内存样品，预计部分厂商GDDR7有望于今年第四季到明年第一季度量产。

图片来源：三星官网

三星与SK海力士今年3月宣布了各自GDDR7的相关指标：三星GDDR7芯片通过首次应用PAM3信号，能够在仅1.1 V的DRAM电压下实现32Gbps的速度，这超过了JEDEC的GDDR7规范中的1.2 V；SK海力士与其前身GDDR6相比，最新的GDDR7产品提供的最大带宽达到160GB/s，是其上一代产品的两倍，功耗效率提升了40%，内存密度提升1.5倍。

图片来源：SK海力士官网

6月，美光宣布已开始出样新一代GDDR7，速度为32Gbps，显存带宽1.5TB/sec，相比较GDDR6提高了60%，具有业界最高的位元密度。美光GDDR7采用1β DRAM技术和创新架构打造，并且有四个独立通道可优化工作负载。提供了更快的响应时间、更流畅的游戏体验和更短的处理时间。此外，美光GDDR7的能效比GDDR6提高了50%，从而改善了便携式设备（笔记本电脑等）的散热性能，延长了电池寿命，而新的睡眠模式可将待机功耗降低70%。美光表示，其下一代 GDDR7可提供高性能，将吞吐量提高033%，并将生成式人工智能工作负载（包括文本和图像创建）的响应时间缩短20%。

图片来源：美光官网

另据业界近期爆料，NVIDIA RTX 50全系采用了最新的GDDR7，最高容量可达16GB，包括：GN22-X11（16 GB GDDR7）、GN22-X9（16 GB GDDR7）、GN22-X7（12 GB GDDR7）、GN22-X6 (8 GB GDDR7)、GN22-X4 (8 GB GDDR7)、GN22-X2 (8 GB GDDR7)。业界认为，GDDR7将成为继HBM之后存储器市场的新战场，同时原厂也将依旧争抢NVIDIA GPU订单。

结语

HBM火热势头不减，GDDR7蓄势待发，存储器市场竞争不断，未来又将有哪些新看点，我们拭目以待。